| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
PNP (HIGH DC CURRENT GAIN) HIGHDCCURRENTGAIN MINhFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistorsIndustrialUse ComplementtoTIP140F/141F/142F | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 | Samsung | ||
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140F/141F/142F | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL | ||
SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | ||
POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | ||
Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140T/141T/142T | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP140/141/142 | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140/141/142 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDX64A,BDV64A,BDV66,BDW84B,MJ2501,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-71
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
125
产品属性
- 产品编号：
TIP146
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS PNP 80V 10A TO218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
15+ |
TO-247 |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-3P |
8866 |
询价 | |||
ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
ASI |
05+ |
原厂原装 |
5477 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
1000 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
TEXASINSTRUMENTS |
新 |
186 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-3P |
5000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
