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TIP146F中文资料三星数据手册PDF规格书

TIP146F
厂商型号

TIP146F

功能描述

PNP (HIGH DC CURRENT GAIN)

文件大小

175.17 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

SAMSUNG三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
SAMSUNG
数据手册

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更新时间

2025-8-3 12:20:00

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TIP146F规格书详情

HIGH DC CURRENT GAIN

MIN hFE=1000@ VCE = -4V, IC= -5A

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Industrial Use

Complement to TIP140F/141F/142F

产品属性

  • 型号:

    TIP146F

  • 功能描述:

    达林顿晶体管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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