TIP142中文资料100V,10A,Complementary Power Darlington Transistor数据手册Galaxy规格书

| 厂商型号 |
TIP142 |
| 参数属性 | TIP142 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3 |
| 功能描述 | 100V,10A,Complementary Power Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-22 18:16:00 |
| 人工找货 | TIP142价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
TIP142三极管、TIP142晶体管、TIP142晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
10A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BDX65B,BDV65B,BDV67A,BDW83C,MJ3001,FH9D,
- 最大耗散功率:
125W
- 放大倍数:
β>1000
- 图片代号:
B-71
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
10
- wtest:
125
技术参数
- 制造商编号
:TIP142
- 生产厂家
:Galaxy
- AEC Qualified
:YES
- Pb Free
:YES
- Halide free
:YES
- Reach
:YES
- RoHS
:YES
- Marketing Status
:Active
- Polarity
:NPN
- V(BR)CEO(V)min.
:100
- IC(A)
:10
- hFEmin.
:1000
- hFEmax.
:-
- VCE (sat)(V)
:2
- IB(mA)
:10
- fT(MHz)min.
:-
- PD(W)max.
:125
- TJ(°C)max.
:150
- TJ(°C)min.
:-65
- ECCN(US)
:EAR99
- Category
:双极型晶体管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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