TIP142中文资料100V,10A,Complementary Power Darlington Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
TIP142 |
| 参数属性 | TIP142 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3 |
| 功能描述 | 100V,10A,Complementary Power Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-22 18:16:00 |
| 人工找货 | TIP142价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP142三极管、TIP142晶体管、TIP142晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDX65B,BDV65B,BDV67A,BDW83C,MJ3001,FH9D,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-71
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
125
技术参数
- 制造商编号
：TIP142
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：YES
- Pb Free
：YES
- Halide free
：YES
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Polarity
：NPN
- V(BR)CEO(V)min.
：100
- IC(A)
：10
- hFEmin.
：1000
- hFEmax.
：-
- VCE (sat)(V)
：2
- IB(mA)
：10
- fT(MHz)min.
：-
- PD(W)max.
：125
- TJ(°C)max.
：150
- TJ(°C)min.
：-65
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：双极型晶体管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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