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TIP132中文资料NPN Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

TIP132

参数属性

TIP132 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

NPN Darlington Bipolar Power Transistor

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 9:44:00

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TIP132规格书详情

描述 Description

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The TIP131, TIP132 (NPN); and TIP137 (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• High DC Current Gain.hfe=2500 Typ at Ic=4.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage at 30 mAdc: 80 Vdc Min TIP131 & 100 Vdc Min TIP132, TIP137
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.0 Vdc Max at Ic=4.0 Adc & 3.0 Vdc Max at Ic=6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors.
• T0-220AB Compact Package
• Pb-Free Packages are Available

技术参数

  • 产品编号:

    TIP132

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 30mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

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