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TIP131中文资料NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

TIP131

参数属性

TIP131 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

功能描述

NPN 达林顿双极功率晶体管
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-24 15:01:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP131

  • 别名:

    TIP131三极管、TIP131晶体管、TIP131晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD267A,BD647,BD699,BD899,BDW73B,BDX53B,FH7C,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    70

TIP131规格书详情

描述 Description

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP131、TIP132 (NPN);和 TIP137 (PNP) 为互补器件。

特性 Features

• High DC Current Gain.hfe=2500 Typ at Ic=4.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage at 30 mAdc: 80 Vdc Min TIP131 & 100 Vdc Min TIP132, TIP137
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.0 Vdc Max at Ic=4.0 Adc & 3.0 Vdc Max at Ic=6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors.
• T0-220AB Compact Package
• Pb-Free Packages are Available

简介

TIP131属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的TIP131晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    TIP131

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 30mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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