TIP131中文资料NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
TIP131规格书详情
描述 Description
该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP131、TIP132 (NPN)；和 TIP137 (PNP) 为互补器件。
特性 Features
• High DC Current Gain.hfe=2500 Typ at Ic=4.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage at 30 mAdc: 80 Vdc Min TIP131 & 100 Vdc Min TIP132, TIP137
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.0 Vdc Max at Ic=4.0 Adc & 3.0 Vdc Max at Ic=6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors.
• T0-220AB Compact Package
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP131属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP131晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
TIP131
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 30mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
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