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TIP141F

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:155.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TIP141G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:91.24 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP141G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:144.24 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP141-S

Designed for Complementary Use with TIP145, TIP146 and TIP147

文件:111.96 Kbytes 页数:4 Pages

Bourns

伯恩斯

TIP141T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:253.42 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TIP141T

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

文件:574.33 Kbytes 页数:5 Pages

TAI-SAW

嘉硕科技

TIP141T_09

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

文件:314.92 Kbytes 页数:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

TIP141T

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    TIP141

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDX65A,BDV65A,BDV67,BDW83B,MJ3001,FH9C,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-71

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    125

产品属性

  • 产品编号:

    TIP141

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    TO-218

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A TO218

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TIP141供应商 更新时间2025-12-22 19:10:00