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TIP122D

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.

文件:799.8 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

TIP122FP

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件:279.56 Kbytes 页数:6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TIP122FP

Complementary power Darlington transistors

文件:646.57 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TIP122FP_09

Complementary power Darlington transistors

文件:646.57 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TIP122G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:91.49 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP122G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:114.79 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP122G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:144.18 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP122L

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

文件:466.37 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

TIP122L

Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package.

文件:1.17309 Mbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

TIP122L-T60-K

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

文件:88.29 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

产品属性

  • 产品编号:

    TIP122

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 20mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 5A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
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更多TIP122供应商 更新时间2025-10-3 16:50:00