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TIP122 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件:97.86 Kbytes 页数:4 Pages | Bourns 伯恩斯 | Bourns | |
TIP122 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件:97.86 Kbytes 页数:4 Pages | Bourns 伯恩斯 | Bourns | |
TIP122 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件:91.49 Kbytes 页数:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
TIP122 | Plastic-Encapsulated Transistors 文件:57.83 Kbytes 页数:1 Pages | TEL 东电电子 | TEL | |
TIP122 | Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. 文件:1.22962 Mbytes 页数:6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | FOSHAN | |
TIP122 | Darlington TRANSISTOR (NPN) 文件:108.35 Kbytes 页数:2 Pages | FS | FS | |
TIP122 | Darlington TRANSISTOR (NPN) 文件:270.32 Kbytes 页数:2 Pages | KOOCHIN 灏展电子 | KOOCHIN | |
TIP122 | 5.0 A,100 V,NPN 达林顿双极功率晶体管 The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) are complementary devices. • High DC Current Gain -hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 Adc\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAVCEO(sus) = 60 Vdc (Min)TIP120, TIP125 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)TIP121, TIP126VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)TIP122, TIP127\n• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2.0 Vdc(Max) @ IC= 3.0 Ad; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
TIP122 | Transistor 三极管 | JieJie 捷捷微电 | JieJie | |
TIP122 | 达林顿管 | JSCJ 长晶科技 | JSCJ |
产品属性
- 产品编号:
TIP122
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
4V @ 20mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 3A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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