TIP117中文资料100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
TIP117 |
| 参数属性 | TIP117 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 2A TO220 |
| 功能描述 | 100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 19:47:00 |
| 人工找货 | TIP117价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP117三极管、TIP117晶体管、TIP117晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD265B,BD702,BDW24C,BDW54C,BDW64C,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
50
技术参数
- 制造商编号
：TIP117
- 生产厂家
：Galaxy
- V(BR)CEO_Min_(V)
：100
- IC_(A)
：2
- hFE _Min
：1000
- hFE _Max
：12000
- VCE_(V)
：3
- IC_(mA)
：2000
- VCE(sat)(V)
：3
- IC_(mA)1
：4000
- IB_(mA)
：400
- fT _Min _(MHz)
：25
- PTM _Max_(W)
：2
- Package_Outlines
：TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
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询价 | ||
ST |
26+ |
TO-220 |
18689 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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TO-220 |
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询价 | ||
ST |
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ST/意法 |
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询价 | ||
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TO220AB |
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