TIP117中文资料TIP117: PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
TIP117 |
参数属性 | TIP117 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A TO220 |
功能描述 | TIP117: PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 8:23:00 |
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TIP117规格书详情
描述 Description
TIP117
特性 Features
具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
高DC电流增益:hFE=1000 @ VCE=-4V,IC=-3A(最小值)
低集电极-发射极饱和电压
工业用途
TIP110/111/112的补充器件
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
TIP117属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP117晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP117
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 2 A
- IC Cont. (A)
:2
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:Condition: IC = 2 A
- hFE Min
:Condition: IC = 2 A
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:2
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FSC |
25+ |
TO-220 |
15690 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
33487 |
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ST/意法 |
23+ |
NA |
8435 |
可订货 请确认 |
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ON |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO252 |
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24+ |
NA/ |
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20+ |
SMD |
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