TIP117数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
TIP117 |
| 参数属性 | TIP117 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 2A TO220 |
| 功能描述 | TIP117: PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 15:57:00 |
| 人工找货 | TIP117价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP117规格书详情
描述 Description
TIP117
特性 Features
具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
高DC电流增益：hFE=1000 @ VCE=-4V，IC=-3A（最小值）
低集电极-发射极饱和电压
工业用途
TIP110/111/112的补充器件
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
TIP117属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP117晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP117
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 2 A
- IC Cont. (A)
：2
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：Condition: IC = 2 A
- hFE Min
：Condition: IC = 2 A
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：2
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220 |
18689 |
询价 | |||
华微 |
23+ |
DPAK |
50000 |
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询价 | ||
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24+ |
TO220 |
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23+ |
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23+ |
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860000 |
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23+ |
TO220AB |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 |
