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TIP102	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP102	文件：142.9 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=3A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A =2.5V	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP102	文件：240.33 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Power Transistors (NPN) DarlingtonPowerTransistors(NPN) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP102	文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistors Features •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowCollector-EmitterSaturati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP102	文件：744.9 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP105/106/107	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP102	文件：93.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·ComplementtotypeTIP105/106/107 APPLICATIONS ·Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP102	文件：97.95 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP102	文件：162.86 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCTIP102isdesignedforusingingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. FEATURES LowVCE(SAT) HighCurrentGain *ComplementarytoTIP107	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
TIP102	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP102	文件：102.87 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. PNPcomplementsareTIP105-106-107 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

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详细参数

型号：
TIP1
功能描述：
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	TIP117TU	DISCRETE	1000	FSC	7000		询价
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更多TIP1供应商更新时间2025-7-19 9:01:00

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