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TIP101	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP101	文件：51.21 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@Vce=4V,Ic=3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP105/106/107	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP101	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	Power Darlingtons for Linear and Switching Applications TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP101	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP101	文件：240.33 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Power Transistors (NPN) DarlingtonPowerTransistors(NPN) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP101	文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistors Features •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowCollector-EmitterSaturati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP101	文件：93.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·ComplementtotypeTIP105/106/107 APPLICATIONS ·Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP101	文件：744.9 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP105/106/107	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP101	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP101	文件：102.87 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. PNPcomplementsareTIP105-106-107 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

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详细参数

型号：
TIP1
功能描述：
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP1供应商更新时间2025-7-19 9:01:00

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