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TIP100	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP100	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP100	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS PlasticMedium−PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP100	文件：149.29 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP105,TIP106andTIP107 ●80Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MaximumVCE(sat)of2.5VatIC=8A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP100	文件：51.21 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@Vce=4V,Ic=3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP105/106/107	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP100	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	Power Darlingtons for Linear and Switching Applications TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP100	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP100	文件：93.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·ComplementtotypeTIP105/106/107 APPLICATIONS ·Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP100	文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistors Features •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowCollector-EmitterSaturati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP100	文件：744.9 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP105/106/107	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

晶体管资料

型号：
TIP100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
80

产品属性

产品编号：
TIP100
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 60V 8A TO220-3

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