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TIP101	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications 文件：75.05 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
TIP101-BP	文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistors Features • Mounting Torgue: 5 in-lbs Maximum • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain : hFE=2500 (Typ) @ IC=4.0Adc • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Low Collector-Emitter Saturati 文件：167.79 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
TIP101NPN	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications 文件：320.51 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP102	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications 文件：320.51 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP102	文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistors Features • Mounting Torgue: 5 in-lbs Maximum • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain : hFE=2500 (Typ) @ IC=4.0Adc • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Low Collector-Emitter Saturati 文件：167.79 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
TIP102	文件：51.21 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors • Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE =1000 @ V ce =4V, Ic =3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP105/106/107 文件：51.21 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP102	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features •High DC Current Gain −hFE = 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc •Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) − 文件：218.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP102	文件：162.86 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TIP102 is designed for using in general purpose amplifier and switching applications. FEATURES * Low VCE(SAT) * High Current Gain * Complementary to TIP107 文件：162.86 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP102	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8 Ampere DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 80 WATTS TIP100,TIP101,TIP102 --> NPN TIP105,TIP106,TIP107 --> PNP 文件：200.04 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP102	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS 80 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc 文件：218.99 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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晶体管资料

型号：
TIP100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
80

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
20
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP1供应商更新时间2026-2-6 9:31:00

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