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TIP102分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP102

参数属性

TIP102 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

218.99 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

Motorola

中文名称

摩托罗拉

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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TIP102规格书详情

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS

80 WATTS

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.

• High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc

VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat)= 2.0 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc

VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc

• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

• TO–220AB Compact Package

产品属性

  • 产品编号:

    TIP102

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

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