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TIP102分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP102

参数属性

TIP102 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

封装外壳

TO-220-3

文件大小

744.9 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

SEMIHOW

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更新时间

2026-2-4 14:49:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP102

  • 别名:

    TIP102三极管、TIP102晶体管、TIP102晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD649,BD901,BDW73C...D,BDX53C...F,3DK208,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    80

TIP102规格书详情

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

- High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.)

- Collector-Emitter Sustaining Voltage

- Low Collector-Emitter Saturation Voltage

- Industrial Use

- Complementary to TIP105/106/107

产品属性

  • 产品编号:

    TIP102

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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