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TIP126	文件：69.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerdarlingtonComplementarytransistors DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORTIP120,TIP125seriestypesareComplementarySiliconPowerDarlingtonTransistorsdesignedforlowspeedswitchingandamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
TIP126	文件：810.29 Kbytes Page：5 Pages	BASENPN/PNP EPITAXIALBASENPN/PNP POWERDARLINGTONS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
TIP126	文件：616.93 Kbytes Page：13 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP126	文件：768.39 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNSiliconPowerTransistor FEATURES: MediumPowerComplementarysilicontransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) *TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
TIP126	文件：132.52 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLNGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP120/121/122 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP126	文件：163.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors Features •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •ThecomplementaryNPNtypesaretheTIP121/2/3respectively •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP126	文件：510.76 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltIn Base-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP120/121/122	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP126	文件：321.48 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP126	文件：45.71 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearSwitchingApplications PNPEpitaxialDarlingtonTransistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP120/TIP121/TIP122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP126	文件：242.23 Kbytes Page：6 Pages	PNP(MEDIUMPOWERLINEARSWITCHINGAPPLICATIONS) MEDIUMPOWERLINEARSWITCHINGAPPLICATIONS •ComplementtoTIP121	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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晶体管资料

型号：
TIC126M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
600V
最大电流允许值：
7.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSTC1040M,CS6-06,S2800M,TAG660-600,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
600
htest：
999900
atest：
7.5
wtest：
0

详细参数

型号：
TIC126M
制造商：
Bourns Inc
功能描述：
THYRISTOR 12A 600V TO-220

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