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TH58NVG3S0HBAI4中文资料SLC NAND数据手册Toshiba规格书
TH58NVG3S0HBAI4规格书详情
描述 Description
Capacity (bit):8G(4G×2)
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(4096+256)×8
Block size (bit):(256K+16K)×8
I/O (bit):8
Keyword:8Gbit SLC NAND, 3.3V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
技术参数
- 制造商编号
:TH58NVG3S0HBAI4
- 生产厂家
:Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
:25 nsec
- Operational Temperature
:-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
:2.7 to 3.6 V
- Block Erasing Time (Typ.)
:2.5 msec
- Program Time (Typ.)
:0.3 msec
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Memory America, Inc. |
21+ |
BGA |
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BGA |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
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48TSOP I |
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KIOXIA |
24+ |
BGA |
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TOSHIBA/东芝 |
17+ |
TSOP48 |
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