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TH58BYG3S0HBAI4	文件：2.57148 Mbytes Page：54 Pages	8 GBIT (1G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The TH58BYG3S0HBAI4 is a single 1.8V 8Gbit (8,858,370,048 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 128) bytes × 64 pages × 4096 blocks. The device has a 4224-byte static register which allows program and read data to be tr 文件：2.57148 Mbytes 页数：54 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG1S3AFT	文件：368.76 Kbytes Page：32 Pages	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The TH58NVG1S3A is a single 3.3-V 2G-bit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048+64) bytes x 64 pages x 2048 blocks. The device has a 2112-byte static registers whic 文件：368.76 Kbytes 页数：32 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG1S3AFT05	文件：368.76 Kbytes Page：32 Pages	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The TH58NVG1S3A is a single 3.3-V 2G-bit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048+64) bytes x 64 pages x 2048 blocks. The device has a 2112-byte static registers whic 文件：368.76 Kbytes 页数：32 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG4S0FBAID	文件：39.12 Kbytes Page：1 Pages	Semiconductor & Storge Products Company NAND Flash Memory (SLC Large Capacity) 文件：39.12 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG4S0FTA20	文件：39.12 Kbytes Page：1 Pages	Semiconductor & Storge Products Company NAND Flash Memory (SLC Large Capacity) 文件：39.12 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG4S0FTAK0	文件：39.12 Kbytes Page：1 Pages	Semiconductor & Storge Products Company NAND Flash Memory (SLC Large Capacity) 文件：39.12 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG5S0FTA20	文件：677.82 Kbytes Page：73 Pages	32 GBIT (4G 횞 8 BIT) CMOS NAND E2PROM 32 GBIT (4G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The TH58NVG5S0F is a single 3.3V 32 Gbit (36,305,895,424 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 232) bytes × 64 pages × 16384 blocks. The device has two 4328-byte static registe 文件：677.82 Kbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG5S0FTA20	文件：39.12 Kbytes Page：1 Pages	Semiconductor & Storge Products Company NAND Flash Memory (SLC Large Capacity) 文件：39.12 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NVG5S0FTAK0	文件：39.12 Kbytes Page：1 Pages	Semiconductor & Storge Products Company NAND Flash Memory (SLC Large Capacity) 文件：39.12 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58NYG4S0FBAID	文件：39.12 Kbytes Page：1 Pages	Semiconductor & Storge Products Company NAND Flash Memory (SLC Large Capacity) 文件：39.12 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
TH5L10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
4*NPN-DARL
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
10
可代换的型号：
最大耗散功率：
3.5W
放大倍数：
图片代号：
I-18
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
3.5

技术参数

IO(A)：
50
IFSM(A)：
500
IR(mA)：
10
VF V(min)：
1.05
封装：
H50VB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	TH58NVG2S3BTG00	Toshiba	13+		1738	原装分销	询价
深圳市勤思达科技有限公司	TH50VSF2682BFSB	TOSHIBA	11+	FBGA68	8000	全新原装,绝对正品现货供应	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	TH50VSF3580AASB	TOSHIBA	05+	原厂原装	4487	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市益百分电子有限公司	TH532C	OKI	QFP	04+	38	全新原装进口自己库存优势	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TH562	ST	23+	高频管	950	专营高频管模块,全新原装!	询价
深圳市一线半导体有限公司	TH560321		24+	SOP	298	自己现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	TH50VSF4682ABSB	TOSHIBA	23+	BGA	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	TH58TEG7DCJTA20	TOSHIBA	25+	TSOP48	10	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市弘为电子有限公司	TH50VSF2581AASB	TOSHIBA	24+	(BGA)	417	原装现货假一罚十	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	TH50VSF0302BCXB	TOSHIBA	24+	BGA	6232	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价

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