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TH58BYG3S0HBAI4	文件：2.57148 Mbytes Page：54 Pages	8 GBIT (1G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION TheTH58BYG3S0HBAI4isasingle1.8V8Gbit(8,858,370,048bits)NANDElectricallyErasableand ProgrammableRead-OnlyMemory(NANDE2PROM)organizedas(4096+128)bytes×64pages×4096blocks. Thedevicehasa4224-bytestaticregisterwhichallowsprogramandreaddatatobetr	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TH58BYG3S0HBAI4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：63-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA	Kioxia America, Inc. Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

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功能描述

制造商&上传企业

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TH58BYG3S0HBAI4

文件：2.57148 Mbytes

Page：54 Pages

8 GBIT (1G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM

DESCRIPTION TheTH58BYG3S0HBAI4isasingle1.8V8Gbit(8,858,370,048bits)NANDElectricallyErasableand ProgrammableRead-OnlyMemory(NANDE2PROM)organizedas(4096+128)bytes×64pages×4096blocks. Thedevicehasa4224-bytestaticregisterwhichallowsprogramandreaddatatobetr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

TH58BYG3S0HBAI4

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：63-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TH58BYG3S0HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
8Gb（1G x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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