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TGAN30N60FDR	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT	TRinno	TRinno
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER 文件：672.35 Kbytes 页数：15 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris 文件：1.32748 Mbytes 页数：10 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns

技术参数

Vces[V]：
600
Ic@25℃[A]：
60
Ic@100℃[A]：
30
Package：
TO-3PN
Anti-Parallel Diode：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博中泰实业有限公司	TGAN30N60FDR	TRINNO	24+	TO-3P	60000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	TGAN30N60FDR其他三极管	TRINNO	23+	TO-3P	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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富凯科技(深圳）有限公司	TGAN30S160FD	TRINNO/特瑞诺	24+	TO-3P	3600	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
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更多TGAN30N60FDR供应商更新时间2025-10-4 13:01:00

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