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BIDW30N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

BIDW30N60T
厂商型号

BIDW30N60T

参数属性

BIDW30N60T 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A TRENCH TO-247

功能描述

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

封装外壳

TO-247-3

文件大小

1.32748 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 Bourns Electronic Solutions
企业简称

BOURNS伯恩斯

中文名称

伯恩斯官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 23:41:00

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BIDW30N60T规格书详情

General Information

The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate

and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current

applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater

control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage

(VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure gives a lower thermal

resistance R(th).

Features

600 V, 30 A, Low Collector-Emitter

Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

RoHS compliant*

Applications

Switch-Mode Power Supplies (SMPS)

Uninterruptible Power Sources (UPS)

Power Factor Correction (PFC)

Induction heating

产品属性

  • 产品编号:

    BIDW30N60T

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.65V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1.85mJ(开), 450µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/67ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 600V 30A TRENCH TO-247

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