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BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris 文件：1.32748 Mbytes 页数：10 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BIDW30N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT管/模块	Bourns 伯恩斯	Bourns
BIDW30N60T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A TRENCH TO-247	Bourns Inc.	Bourns Inc.
DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.61 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：264.01 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：242.68 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO

产品属性

产品编号：
BIDW30N60T
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.65V @ 15V，30A
开关能量：
1.85mJ（开）， 450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/67ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 30A TRENCH TO-247

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