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厂商型号

BIDD05N60T

功能描述

BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

文件大小

1.48522 Mbytes

页面数量

10

生产厂商

Bourns

中文名称

伯恩斯

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 20:22:00

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BIDD05N60T规格书详情

特性 Features

600V, 5A, Low VCE(sat)

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Robust

RoHS compliant*

Applications

Switch-Mode Power Supplies (SMPS)

Uninterruptible Power Sources (UPS)

Power Factor Correction (PFC)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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