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BIDD05N60T

BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Features 600V, 5A, Low VCE(sat) Trench-Gate Field-Stop technology Optimized for conduction Robust RoHS compliant* Applications Switch-Mode Power Supplies (SMPS) Uninterruptible Power Sources (UPS) Power Factor Correction (PFC)

文件:1.48522 Mbytes 页数:10 Pages

Bourns

伯恩斯

BIDD05N60T

IGBT管/模块

Bourns

伯恩斯

CJD05N60B

N-Channel Power MOSFET

文件:823.62 Kbytes 页数:4 Pages

JIANGSU

长电科技

CJD05N60B

N -Channel P ower MOSFET

文件:603.14 Kbytes 页数:2 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

CJP05N60

N-Channel Power MOSFET

文件:985.21 Kbytes 页数:3 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

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更多BIDD05N60T供应商 更新时间2025-9-30 15:49:00