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EMB20N03VAT	文件：140.99 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03VL	文件：843.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FQ20N03Q	文件：1.11499 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheFQ20N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
G20N03K	文件：514.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG20N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentR DS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application  Powerswitch DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GE20N03	文件：299.9 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GE20N03	文件：296.14 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GI20N03	文件：241.03 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GJ20N03	文件：241.45 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GU20N03	文件：327.43 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
HM20N03K	文件：479.61 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

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