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TF030N02N

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF030N02N combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resi

文件:2.68399 Mbytes 页数:5 Pages

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更多TF030N02N供应商 更新时间2025-12-6 11:06:00