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TDG100E90BEPF	文件：3.00568 Mbytes Page：19 Pages	Marking：TDG90BF；Package：GaNPX；Bottom-side cooled, 100V E-mode GaN transistor Product Specification Features •100VenhancementmodeGaNpowerswitch•Bottom-sidecooledconfiguration•RDS(on)=7mΩ•IDS(max)=90A•Ultra-lowFOMIslandTechnology®die•LowinductanceGaNPX®package•Easygatedriverequirements(0Vto6V)•Transienttolerantgatedrive(-20V/+10V)•Veryhighswitchingfrequenc	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
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文件：3.00568 Mbytes

Page：19 Pages

Marking：TDG90BF；Package：GaNPX；Bottom-side cooled, 100V E-mode GaN transistor Product Specification

Features •100VenhancementmodeGaNpowerswitch•Bottom-sidecooledconfiguration•RDS(on)=7mΩ•IDS(max)=90A•Ultra-lowFOMIslandTechnology®die•LowinductanceGaNPX®package•Easygatedriverequirements(0Vto6V)•Transienttolerantgatedrive(-20V/+10V)•Veryhighswitchingfrequenc

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