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IRF9610	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF9610	文件：157.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610	文件：290.23 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-1.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9610PBF	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610PBF	文件：1.33245 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-200V,RDS(on)=3.0廓,ID=-1.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610PBF	文件：157.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610S	文件：206.04 Kbytes Page：10 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610S	文件：163.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.8A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •Surface	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610S	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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