首页 >TDA2610Q>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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10GHz??15.4GHzDownconverter | TriQuint TriQuint Semiconductor | TriQuint | ||
DetectionofLPGas | FIGAROFigaro Engineering Inc. 费加罗费加罗技研株式会社 | FIGARO | ||
DualSchottkyDiodeBridge | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
DUALSCHOTTKYDIODEBRIDGE | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2610,whichhasaheatspreader,isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Thinsurfacemountpackagewithheatspreader •1.8Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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