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TS652	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIALVARIABLEGAINAMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS652D	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIALVARIABLEGAINAMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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TSD-652	文件：41.76 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEDC/DCPOWERCONVERSIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
U652	文件：132.01 Kbytes Page：3 Pages	SINGLEOUTPUTHALLEFFECTLATCH	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPA652TT	文件：71.09 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA652TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdr	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA652TT	文件：1.05876 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices -CellularPhone -DSC -PortableGameConsole -MP3 -GPS	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA652TT	文件：297.75 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA652TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya 2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowers	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
V652	文件：1.12355 Mbytes Page：2 Pages	NECLCD65LargeFormatDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
V652-TM	文件：919.82 Kbytes Page：2 Pages	MultiSync(MultiTouch)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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产品属性

产品编号：
TC652BEVUATR
制造商：
Microchip Technology
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - 温控器 - 固态
包装：
管件
跳断温度阈值：
Hot
开关温度：
30°C，45°C
精度：
±2.5°C
输出：
低有效
输出功能：
/Fault，/OverTemp，PWM
可选滞后：
无
特性：
风扇控制器
电流 - 供电：
50µA
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-MSOP
描述：
THERMOSTAT 30/45DEG ACT LO 8MSOP

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