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TS652	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS652D	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS652ID	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-652	文件：41.76 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEDC/DCPOWERCONVERSIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
U652	文件：132.01 Kbytes Page：3 Pages	SINGLEOUTPUTHALLEFFECTLATCH	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPA652TT	文件：71.09 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA652TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdr	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA652TT	文件：297.75 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA652TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya 2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowers	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA652TT	文件：1.05876 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices -CellularPhone -DSC -PortableGameConsole -MP3 -GPS	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
V652	文件：1.12355 Mbytes Page：2 Pages	NECLCD65LargeFormatDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
V652-TM	文件：919.82 Kbytes Page：2 Pages	MultiSync(MultiTouch)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TS652
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TS652供应商更新时间2025-7-26 16:01:00

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