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TS652D	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS652ID	文件：74.43 Kbytes Page：9 Pages	DIFFERENTIALVARIABLEGAINAMPLIFIER DESCRIPTION TheTS652isadifferentialdigitallycontroledvariablegainamplifierfeaturingahighslewrateof90V/µs,alargebandwidth,averylowdistortionandaverylowcurrentandvoltagenoise. ■LOWNOISE:4.6nV/√Hz ■LOWDISTORTION ■HIGHSLEWRATE:90V/µs ■WIDEBANDWIDTH:52	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-652	文件：41.76 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEDC/DCPOWERCONVERSIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
U652	文件：132.01 Kbytes Page：3 Pages	SINGLEOUTPUTHALLEFFECTLATCH	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPA652TT	文件：71.09 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA652TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdr	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA652TT	文件：297.75 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA652TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya 2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowers	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA652TT	文件：1.05876 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices -CellularPhone -DSC -PortableGameConsole -MP3 -GPS	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
V652	文件：1.12355 Mbytes Page：2 Pages	NECLCD65LargeFormatDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
V652-TM	文件：919.82 Kbytes Page：2 Pages	MultiSync(MultiTouch)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
YX652	文件：1.37089 Mbytes Page：1 Pages	LED	SHININGICShanghai Yuxin Electronic Technology Co., Ltd 裕芯电子上海裕芯电子科技有限公司	SHININGIC

详细参数

型号：
TS652D
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	TS652I	ST	24+	SOP14	200000	原装进口正口,支持样品	询价
深圳市煦洪科技有限公司	TS652I	ST	25+	SOP14	18000	全新原装	询价
深圳市一线半导体有限公司	TS652ID	ST	24+	SMD	2500	自己现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	TS652ID	ST	23+	SOP	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市利加科技有限公司	TS652ID	ST	16+	SP14	8000	原装现货请来电咨询	询价
深圳市勤思达科技有限公司	TS652ID	ST	11+	SO14	8000	全新原装,绝对正品现货供应	询价
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司	TS652ID	ST	2020+	SP14	35000	100%进口原装正品公司现货库存	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	TS652ID	STMicroelectronics	18+	ICAMPVGADIFFDGTLLNSO-14	6800	公司原装现货	询价

更多TS652D供应商更新时间2025-5-3 8:30:00

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