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BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD649	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：108.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD649	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD649F	文件：278.82 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
TC649VUATR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
系列：
FanSense™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
电机类型 - AC，DC：
无刷 DC（BLDC）
功能：
控制器 - 速度
输出配置：
前置驱动器 - 低端
接口：
并联
应用：
风扇控制器
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-MSOP
描述：
IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 8MSOP

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