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TC58NYG2S0HBAI6数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF
TC58NYG2S0HBAI6规格书详情
描述 Description
Capacity (bit):4G
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(4096+256)×8
Block size (bit):(256K+16K)×8
I/O (bit):8
Keyword:4Gbit SLC NAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
技术参数
- 制造商编号
:TC58NYG2S0HBAI6
- 生产厂家
:Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
:25 nsec
- Operational Temperature
:-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
:1.7 to 1.95 V
- Block Erasing Time (Typ.)
:3.5 msec
- Program Time (Typ.)
:0.3 msec
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
21700 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
BGA |
1062 |
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询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2018+ |
BGA |
6528 |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
询价 | ||
Toshiba |
24+ |
SMD |
15600 |
电可擦除可编程只读存储器1.8V |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
VFBGA67 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Kioxia |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
BGA |
23300 |
原装正品现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
BGA |
5000 |
只做原装力挺实单 |
询价 | ||
Toshiba Memory America, Inc. |
21+ |
48-TFBGA |
5280 |
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