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TC58NVG2S0HBAI6数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

TC58NVG2S0HBAI6

参数属性

TC58NVG2S0HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

功能描述

SLC NAND

封装外壳

67-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:31:00

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TC58NVG2S0HBAI6规格书详情

描述 Description

Capacity (bit):4G
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(4096+256)×8
Block size (bit):(256K+16K)×8
I/O (bit):8
Keyword:4Gbit SLC NAND, 3.3V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

技术参数

  • 制造商编号

    :TC58NVG2S0HBAI6

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Access Time (Serial Cycle) (Min)

    :25 nsec

  • Operational Temperature

    :-40 to 85 ℃

  • Supply Voltage

    :2.7 to 3.6 V

  • Block Erasing Time (Typ.)

    :2.5 msec

  • Program Time (Typ.)

    :0.3 msec

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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67VFBGA (6.5x8)
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