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TC58NVG2S0HBAI6	文件：1.90816 Mbytes Page：66 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	KIOXIAKIOXIA Corporation 铠侠铠侠株式会社	KIOXIA
TC58NVG2S0HBAI6	文件：868 Kbytes Page：2 Pages	SLC NAND & BENAND Reliability and Performance	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC58NVG2S0HBAI6	文件：2.51174 Mbytes Page：20 Pages	Flash Memory	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC58NVG2S0HBAI6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：67-VFBGA；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA	Kioxia America, Inc. Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58NVG2S0HBAI6
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
67-VFBGA
供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

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