TC58NYG0S3HBAI6数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF

厂商型号	TC58NYG0S3HBAI6
参数属性	TC58NYG0S3HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA；包装为散装；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
功能描述	SLC NAND
封装外壳	67-VFBGA
制造商	Toshiba Toshiba Semiconductor
中文名称	东芝株式会社东芝
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-9 9:32:00
人工找货	TC58NYG0S3HBAI6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

Capacity (bit)：1G
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(2048+128)×8
Block size (bit)：(128K+8K)×8
I/O (bit)：8
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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