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TC58NYG1S3HBAI6数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

TC58NYG1S3HBAI6

参数属性

TC58NYG1S3HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

功能描述

SLC NAND

封装外壳

67-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 9:31:00

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TC58NYG1S3HBAI6规格书详情

描述 Description

Capacity (bit):2G
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(2048+128)×8
Block size (bit):(128K+8K)×8
I/O (bit):8
Keyword:2Gbit SLC NAND, 1.8V, x8, 24nm, BGA
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

技术参数

  • 制造商编号

    :TC58NYG1S3HBAI6

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Access Time (Serial Cycle) (Min)

    :25 nsec

  • Operational Temperature

    :-40 to 85 ℃

  • Supply Voltage

    :1.70 to 1.95 V

  • Block Erasing Time (Typ.)

    :3.5 msec

  • Program Time (Typ.)

    :0.3 msec

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba Semiconductor and Stor
22+
67VFBGA (6.5x8)
9000
原厂渠道,现货配单
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Kioxia
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
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Toshiba
24+
SMD
15600
电可擦除可编程只读存储器1.8V
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TOSHIBA
2018+
FBGA
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24+
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5000
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Kioxia America Inc
23+/24+
67-VFBGA
8600
只供原装进口公司现货+可订货
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Toshiba Memory America, Inc.
24+
67-VFBGA(6.5x8)
56200
一级代理/放心采购
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TOSHIBA/东芝
22+
FBGA
23302
原装正品现货
询价