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TC55257CTRI

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:211.35 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257CTRI-10L

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:211.35 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257CTRI-85L

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:211.35 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257CTRL

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:385.7 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257CTRL-10

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:385.7 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257CTRL-70

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:385.7 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257CTRL-85

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:385.7 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257DFI-70L

32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:442.62 Kbytes 页数:11 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257DFI-85L

32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

文件:442.62 Kbytes 页数:11 Pages

TOSHIBA

东芝

TC55257DFL

32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM

文件:504 Kbytes 页数:13 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    TC55

  • 制造商:

    Cornell Dubilier Electronics (CDE)

  • 类别:

    电容器 > 铝电解电容器

  • 系列:

    TC

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    -10%,+50%

  • ESR(等效串联电阻):

    6.13 欧姆 @ 120Hz

  • 不同温度时使用寿命:

    85°C 时为 1000 小时

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 极化:

    极化

  • 应用:

    通用

  • 大小 / 尺寸:

    0.750" 直径 x 1.125" 长(19.05mm x 28.58mm)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向,

  • 描述:

    CAP ALUM 20UF 250V AXIAL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Cornell-Dubilier
5
全新原装 货期两周
询价
Cornell-Dubilier
2022+
1
全新原装 货期两周
询价
TOSH
0043+
SOJ-32
633
原装现货海量库存欢迎咨询
询价
TOSHIBA
23+
NA
19854
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
询价
TOSHIBA
24+
DIP-24
6430
原装现货/欢迎来电咨询
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MICROCHIP
24+
SOT23
6000
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TOSHIBA/东芝
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东芝|Toshiba
25+
PSOP
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多TC55供应商 更新时间2026-1-17 16:06:00