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TC55	文件：72.26 Kbytes Page：9 Pages	1關A LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTC55SeriesisafamilyofCMOSlowdropoutpositivevoltageregulatorswhichcansourceupto250mAofcurrent.Theextremelylowoperatingcurrent(1.1µAtypical)makesthisparttheidealchoiceforbatteryoperatedapplicationsandeliminatestheneedforanaddition	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC55	文件：152.09 Kbytes Page：2 Pages	Axial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors 85ºC,HighRipple,GeneralPurposeCapacitor TypeTCisanaxialleaded,85ºC,1000hourlonglifegeneralpurposealuminumelectrolyticcapacitorwithahighripplecurrentratingandissuitableforconsumerelectronicequipmentapplications. Highlights •Generalpurpose •Highripplecurr	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
TC55	文件：50.11 Kbytes Page：3 Pages	LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTC55SeriesisacollectionofCMOSlowdropoutpositivevoltageregulatorswhichcansourceupto250mAofcurrentwithanextremelylowinput-outputvoltagedifferentialof380mV. FEATURES ■VeryLowDropoutVoltage....120mVtypat100mA	TELCOM TelCom Semiconductor, Inc	TELCOM
TC55	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向，CAN；包装：散装类别：电容器铝电解电容器描述：CAP ALUM 20UF 250V AXIAL	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
TC5501D	文件：156.3 Kbytes Page：8 Pages	256 WORD x 4 BIT CMOS RAM DESCRIPTION TheTC5501P/Disafullystaticreadwritememory organizedas256wordsby4bitsusingCMOStech- nology.Becauseofultralowpowerdissipation,the TC5501P/Dcanbeusedasbatteryoperatedportable memorysystemandalsoasanonvolatilememory withbatterybackup.TheTC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC5501D-1	文件：156.3 Kbytes Page：8 Pages	256 WORD x 4 BIT CMOS RAM DESCRIPTION TheTC5501P/Disafullystaticreadwritememory organizedas256wordsby4bitsusingCMOStech- nology.Becauseofultralowpowerdissipation,the TC5501P/Dcanbeusedasbatteryoperatedportable memorysystemandalsoasanonvolatilememory withbatterybackup.TheTC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC5501P	文件：156.3 Kbytes Page：8 Pages	256 WORD x 4 BIT CMOS RAM DESCRIPTION TheTC5501P/Disafullystaticreadwritememory organizedas256wordsby4bitsusingCMOStech- nology.Becauseofultralowpowerdissipation,the TC5501P/Dcanbeusedasbatteryoperatedportable memorysystemandalsoasanonvolatilememory withbatterybackup.TheTC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC5501P-1	文件：156.3 Kbytes Page：8 Pages	256 WORD x 4 BIT CMOS RAM DESCRIPTION TheTC5501P/Disafullystaticreadwritememory organizedas256wordsby4bitsusingCMOStech- nology.Becauseofultralowpowerdissipation,the TC5501P/Dcanbeusedasbatteryoperatedportable memorysystemandalsoasanonvolatilememory withbatterybackup.TheTC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC551001AFI	文件：453.86 Kbytes Page：8 Pages	131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM Description TheTC551001APIisa1,048,576bitCMOSstaticrandomaccessmemoryorganizedas131,072wordsby8bitsandoperated fromasingle5Vpowersupply.Advancedcircuittechniquesprovidebothhighspeedandlowpowerfeatureswithanoperatingcur- rentof5mA/MHz(typ.)andaminimum	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC551001AFI	文件：441.17 Kbytes Page：8 Pages	131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM Description TheTC551001APIisa1,048,576bitCMOSstaticrandomaccessmemoryorganizedas131,072wordsby8bitsandoperated fromasingle5Vpowersupply.Advancedcircuittechniquesprovidebothhighspeedandlowpowerfeatureswithanoperatingcur- rentof5mA/MHz(typ.)andaminimum	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
TC55
制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
类别：
电容器 > 铝电解电容器
系列：
TC
包装：
散装
容差：
-10%，+50%
ESR（等效串联电阻）：
6.13 欧姆 @ 120Hz
不同温度时使用寿命：
85°C 时为 1000 小时
工作温度：
-40°C ~ 85°C
极化：
极化
应用：
通用
大小 / 尺寸：
0.750" 直径 x 1.125" 长（19.05mm x 28.58mm）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向，
描述：
CAP ALUM 20UF 250V AXIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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