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TC55257BTRL-85	文件：424.27 Kbytes Page：9 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM 文件：424.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257BTRL-85L	文件：424.27 Kbytes Page：9 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM 文件：424.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFI	文件：211.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：211.35 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFI-10L	文件：211.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：211.35 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFI-85L	文件：211.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：211.35 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFL	文件：385.7 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：385.7 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFL-10	文件：385.7 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：385.7 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFL-70	文件：385.7 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：385.7 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFL-85	文件：385.7 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：385.7 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC55257CFTI	文件：211.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM 文件：211.35 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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替换型号

产品属性

产品编号：
TC55
制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
类别：
电容器 > 铝电解电容器
系列：
TC
包装：
散装
容差：
-10%，+50%
ESR（等效串联电阻）：
6.13 欧姆 @ 120Hz
不同温度时使用寿命：
85°C 时为 1000 小时
工作温度：
-40°C ~ 85°C
极化：
极化
应用：
通用
大小 / 尺寸：
0.750" 直径 x 1.125" 长（19.05mm x 28.58mm）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向，
描述：
CAP ALUM 20UF 250V AXIAL

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