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TC518512FI-10

524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description The TC518512Pl is a 4M bit high speed CMOS pseudo static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. The TC518512Pl utilizes a one transistor dynamic memory cell with CMOS peripheral circuitry to provide high capacity, high speed and low power storage. The TC518512PI operates from a s

文件:213 Kbytes 页数:8 Pages

TOSHIBA

东芝

TC54VC2702EMB713

SOT-89-3

MICROCHIP/微芯

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

MICROCHIP/微芯

TC551001CF-70L

SOP32

TC551001CF-70L

SOP32

TOSHIBA/东芝

TC55257CSPL-10

DIP-28

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更多TC518512FI-10供应商 更新时间2025-10-31 16:31:00