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TC518512PL-10DR	文件：320.14 Kbytes Page：9 Pages	524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description TheTC518512PLisa4MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits.TheTC518512PLutilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,.!J!ghspeedandlowpowerstorage.The TC518512PLoperatesfroma	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC518512PL-10LT	文件：300.95 Kbytes Page：8 Pages	524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description TheTC518512PLisa4MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits.TheTC518512PLutilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,.b!ghspeedandlowpowerstorage.The TC518512PLoperatesfroma	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC518512PL-10LV	文件：561.3 Kbytes Page：11 Pages	524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description TheTC518512PLisa4MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits.TheTC518512PL utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518512PL-LVoperatesfrom	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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