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TC518129BPL	文件：477.27 Kbytes Page：14 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518129B-Visa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129B-V utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518129B-Voperatesfrom	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TC518129CFWL	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORDBY8-BITCMOSPSEUDOSTATICRAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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