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TC518129ASPL	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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TC518129ASPL-12	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC518129ASPL-80	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC518129AF	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC518129AFL	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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TC518129AFTL	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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