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TC518129AFWL-12	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description The TC518129A is a 1M bit high speed CMOS pseudo static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. The TC518129A utilizes a one transistor dynamic memory cell with CMOS peripheral circuitry to provide high capacity, high speed and low power storage. The TC518129A operates from a sing 文件：301.04 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC518129AFWL-12LV	文件：376.41 Kbytes Page：14 Pages	131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description The TC518129A-LV is a 1M bit high speed CMOS pseudo static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. The TC518129A-LV utilizes a one transistor dynamic memory cell with CMOS peripheral circuitry to provide high capacity, high speed and low power storage. The TC518129A-LV operates fr 文件：376.41 Kbytes 页数：14 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多TC518129AFWL-12供应商更新时间2025-11-2 18:55:00