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T431616C	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616C-6S	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616C-6SG	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616C-7S	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616C-7SG	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616A	文件：1.61487 Mbytes Page：31 Pages	1Mx16SDRAM???? GRNERALDESCRIPTION TheT431616Ais16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleone	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616B	文件：567.41 Kbytes Page：31 Pages	1Mx16SDRAM512Kx16bitx2BanksSynchronousDRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Bis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleone	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616D	文件：756.63 Kbytes Page：74 Pages	1Mx16SDRAM512Kx16bitx2BanksSynchronousDRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616D/ESDRAMisahigh-speedCMOSsynchronousDRAMcontaining16Mbits.Itisinternallyconfiguredasadual512Kwordx16DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe512Kx16bitbanksis	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
T431616E	文件：756.63 Kbytes Page：74 Pages	1Mx16SDRAM512Kx16bitx2BanksSynchronousDRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616D/ESDRAMisahigh-speedCMOSsynchronousDRAMcontaining16Mbits.Itisinternallyconfiguredasadual512Kwordx16DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe512Kx16bitbanksis	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT

详细参数

型号：
T431616C
制造商：
TMT
制造商全称：
TMT
功能描述：
1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM

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