SZESD8351MUT5G 电路保护TVS - 二极管 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
SZESD8351MUT5G
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi/安森美
库存数量：
14600
产品封装：
NA
生产批号：
两年内
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-27 10:51:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：SZESD8351MUT5G品牌：onsemi/安森美

实单价格可谈

SZESD8351MUT5G是电路保护 > TVS - 二极管。制造商onsemi/安森美/onsemi生产封装NA/0201（0603 公制）的SZESD8351MUT5GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（瞬态电压抑制/抑制器）的首字母缩写。类型包括转向（轨至轨）或齐纳，具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

芯片型号：
SZESD8351MUT5G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
10 页
文件大小：
292.08 kb
资料说明：
ESD8118MUTAG

产品属性

类型
描述
产品编号：
SZESD8351MUT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101, ESD8351
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
5A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
汽车级
不同频率时电容：
0.25pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

供应商

企业：
深圳良洲科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
Ella
手机：
18870635541
询价：
电话：
0755-21010605
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1005、1007、1015号华强电子世界2号楼2层22C081

SZESD8351MUT5G 电路保护TVS - 二极管 ONSEMI/安森美半导体

SZESD8351MUT5G

产品属性

供应商

相关型号

相近型号