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SZESD8351MUT5G电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

SZESD8351MUT5G
厂商型号

SZESD8351MUT5G

参数属性

SZESD8351MUT5G 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为散装;类别为电路保护的TVS-二极管;SZESD8351MUT5G应用范围:汽车级;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

功能描述

ESD Protection Diodes
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

封装外壳

0201(0603 公制)

文件大小

286.97 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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SZESD8351MUT5G规格书详情

SZESD8351MUT5G属于电路保护的TVS-二极管。由安森美半导体公司制造生产的SZESD8351MUT5GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SZESD8351MUT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, ESD8351

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    11.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 不同频率时电容:

    0.25pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
X3DFN2
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
ON
20+
SOD-923
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
24+
X3DFN-2
25000
ON全系列可订货
询价
ON Semiconductor
23+
2-x3dfn(0.62x0.32)
6996
只做原装正品现货
询价
ON
19+
SOD-923
200000
询价
ONSemiconductor
24+
SMD
15600
ESD抑制器/TVS二极管UNIDIRECTIONALSCR
询价
ON
23+
X3DFN2
27000
原装正品现货
询价
ON
23+
原厂原封
784000
订货1周 原装正品
询价